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RAM DDR4 PC3000 32GB Corsair Vengeance LPX
Das Corsair CMK32GX4M1D3000C16 ist ein 32-GB-DDR4-3000-Speichermodul (PC4-24000) aus der Vengeance LPX Serie. Das Modul unterstützt ein Timing von 16-20-20-38 bei 3000 MHz und benötigt 1,35 V Spannung. Der Vengeance LPX Speicher wurde speziell für leistungsstarke Übertaktung konzipiert. Der Wärmeverteiler besteht aus reinem Aluminium, um die Wärme schneller abzuleiten, während die maßgeschneiderte Hochleistungs-PCB die Wärme kanalisiert und hervorragendes Übertaktungspotenzial bietet. Jeder integrierte Schaltkreis wurde einzeln auf höchstes Leistungspotenzial überprüft.
Typ SDRAM-DDR4
Farbe schwarz
EAN 0840006615958
Hersteller-Nr. CMK32GX4M1D3000C16
Serie Vengeance LPX
Kapazität 32 GB
Anzahl 1 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard DDR4-3000 (PC4-24000)
Physikalischer Takt 1500 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 20
RAS-Precharge-Time (tRP) 20
Row-Active-Time (tRAS) 38
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Gewicht 61 Gramm
Farbe schwarz
EAN 0840006615958
Hersteller-Nr. CMK32GX4M1D3000C16
Serie Vengeance LPX
Kapazität 32 GB
Anzahl 1 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard DDR4-3000 (PC4-24000)
Physikalischer Takt 1500 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 20
RAS-Precharge-Time (tRP) 20
Row-Active-Time (tRAS) 38
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Gewicht 61 Gramm
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