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RAM DDR4 PC3200 16GB Corsair Vengeance LPX Kit
Das Corsair CMK16GX4M2B3200C16 ist ein Kit aus zwei 8-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-18-18-36 bei 3200 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Vengeance Serie wurde speziell für eine anspruchsvolle Nutzung mit Blick auf das Übertakten entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper aus Aluminium mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit.
Typ SDRAM-DDR4
Farbe schwarz
EAN 0843591070454
Hersteller-Nr. CMK16GX4M2B3200C16
Serie Vengeance LPX
Kapazität 16 GB (2 x 8 GB)
Anzahl 2 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard DDR4-3200 (PC4-25600)
Physikalischer Takt 1600 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18
RAS-Precharge-Time (tRP) 18
Row-Active-Time (tRAS) 36
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Gewicht 54 Gramm
Farbe schwarz
EAN 0843591070454
Hersteller-Nr. CMK16GX4M2B3200C16
Serie Vengeance LPX
Kapazität 16 GB (2 x 8 GB)
Anzahl 2 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard DDR4-3200 (PC4-25600)
Physikalischer Takt 1600 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18
RAS-Precharge-Time (tRP) 18
Row-Active-Time (tRAS) 36
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Gewicht 54 Gramm
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