Startseite » Hardware » Arbeitsspeicher » Notebook Speicher » SO-Dimm DDR4 » RAM SO DDR4 PC2666 8GB Kingston Fury
RAM SO DDR4 PC2666 8GB Kingston Fury
Das Kingston FURY KF426S15IB/8 ist ein 8-GB-DDR4-2666-Speichermodul (PC4-21300) der Impact Serie. Das Modul unterstützt ein Timing von 15-17-17 bei 2666 MHz und benötigt 1,2 Spannung. Module der Impact Serie erkennen automatisch die Plattform, in die sie eingebaut sind, und übertakten ohne erforderliche Systemanpassung in den BIOS-Einstellungen automatisch auf die angegebene Höchstfrequenz. Intels XMP wird unterstützt.
Typ SDRAM-DDR4
Farbe schwarz
EAN 0740617318593
Hersteller-Nr. KF426S15IB/8
Serie Impact
Kapazität 8 GB
Anzahl 1 Stück
Bauform SO-DIMM
Speicherchips Datendichte 8192 Mbit pro Speicherchip
Anschluss 260-Pin
Spannung 1,2 Volt
Standard DDR4-2666 (PC4-21300)
Physikalischer Takt 1333 MHz
Timings CAS Latency (CL) 15
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 17
RAS-Precharge-Time (tRP) 17
Hinweis Single Rank
Feature XMP
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Abmessungen Breite: 69,6 mm x Höhe: 30 mm
Farbe schwarz
EAN 0740617318593
Hersteller-Nr. KF426S15IB/8
Serie Impact
Kapazität 8 GB
Anzahl 1 Stück
Bauform SO-DIMM
Speicherchips Datendichte 8192 Mbit pro Speicherchip
Anschluss 260-Pin
Spannung 1,2 Volt
Standard DDR4-2666 (PC4-21300)
Physikalischer Takt 1333 MHz
Timings CAS Latency (CL) 15
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 17
RAS-Precharge-Time (tRP) 17
Hinweis Single Rank
Feature XMP
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Abmessungen Breite: 69,6 mm x Höhe: 30 mm
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte die Homepage zu diesem Artikel.