RAM DDR4 PC3600 32GB Corsair Vengeance LPX Kit
Das Corsair CMK32GX4M2D3600C18 ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Vengeance LPX Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module unterstützen ein Timing von 18-22-22-42 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 V Spannung. Die Vengeance LPX Serie wurde speziell für eine anspruchsvolle Nutzung mit Blick auf das Übertakten entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper aus Aluminium mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.
Typ SDRAM-DDR4
Farbe schwarz
EAN 0840006618676
Hersteller-Nr. CMK32GX4M2D3600C18
Serie Vengeance LPX
Kapazität 32 GB (2 x 16 GB)
Anzahl 2 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard DDR4-3600 (PC4-28800)
Physikalischer Takt 1800 MHz
Timings CAS Latency (CL) 18
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 22
RAS-Precharge-Time (tRP) 22
Row-Active-Time (tRAS) 42
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Gewicht 80 Gramm
Farbe schwarz
EAN 0840006618676
Hersteller-Nr. CMK32GX4M2D3600C18
Serie Vengeance LPX
Kapazität 32 GB (2 x 16 GB)
Anzahl 2 Stück
Bauform DIMM
Anschluss 288-Pin
Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt)
Standard DDR4-3600 (PC4-28800)
Physikalischer Takt 1800 MHz
Timings CAS Latency (CL) 18
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 22
RAS-Precharge-Time (tRP) 22
Row-Active-Time (tRAS) 42
Feature XMP 2.0
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Gewicht 80 Gramm
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