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RAM SO DDR4 PC2400 8GB Corsair Vengeance Kit
Das Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 ist ein Kit aus zwei 4-GB-DDR4-2400-Speichermodulen (PC4-19200) aus der Vengeance Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-16-16-39 bei 2400 MHz und benötigen 1,2 V Spannung. Die Vengeance LPX Serie wurde speziell für eine anspruchsvolle Nutzung mit Blick auf das Übertakten entwickelt und nutzt maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper aus Aluminium mit einer ausgezeichneten Wärmeableitung für Stabilität und Verlässlichkeit.
Typ SDRAM-DDR4
Farbe schwarz
EAN 0843591073080
Hersteller-Nr. CMSX8GX4M2A2400C16
Serie Vengeance
Kapazität 8 GB (2 x 4 GB)
Anzahl 2 Stück
Bauform SO-DIMM
Anschluss 260-Pin
Spannung 1,2 Volt (von 1,2 bis 1,5 Volt)
Standard DDR4-2400 (PC4-19200)
Physikalischer Takt 1200 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 16
RAS-Precharge-Time (tRP) 16
Row-Active-Time (tRAS) 39
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Gewicht 102 Gramm
Farbe schwarz
EAN 0843591073080
Hersteller-Nr. CMSX8GX4M2A2400C16
Serie Vengeance
Kapazität 8 GB (2 x 4 GB)
Anzahl 2 Stück
Bauform SO-DIMM
Anschluss 260-Pin
Spannung 1,2 Volt (von 1,2 bis 1,5 Volt)
Standard DDR4-2400 (PC4-19200)
Physikalischer Takt 1200 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 16
RAS-Precharge-Time (tRP) 16
Row-Active-Time (tRAS) 39
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Gewicht 102 Gramm
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