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RAM SO DDR4 PC2666 32GB Kingston Fury Kit
Das Kingston FURY KF426S16IBK2/64 ist ein Kit aus zwei 32-GB-DDR4-2666-Speichermodulen (PC4-21300) aus der Impact Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 64 GB. Die Module unterstützen Timings von 16-18-18 bei 2666 MHz und 1,2 V Spannung. Module der Impact Serie erkennen automatisch die Plattform, in die sie eingebaut sind, und übertakten ohne erforderliche Systemanpassung in den BIOS-Einstellungen automatisch auf die angegebene Höchstfrequenz. Intels XMP wird unterstützt.
Typ SDRAM-DDR4
Farbe schwarz
EAN 0740617318531
Hersteller-Nr. KF426S16IBK2/64
Serie Impact
Kapazität 64 GB (2 x 32 GB)
Anzahl 2 Stück
Bauform SO-DIMM
Speicherchips Datendichte 16384 Mbit pro Speicherchip
Anschluss 260-Pin
Spannung 1,2 Volt
Standard DDR4-2666 (PC4-21300)
Physikalischer Takt 1333 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18
RAS-Precharge-Time (tRP) 18
Hinweis Dual Rank
Feature XMP
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Abmessungen Breite: 69,6 mm x Höhe: 30 mm
Farbe schwarz
EAN 0740617318531
Hersteller-Nr. KF426S16IBK2/64
Serie Impact
Kapazität 64 GB (2 x 32 GB)
Anzahl 2 Stück
Bauform SO-DIMM
Speicherchips Datendichte 16384 Mbit pro Speicherchip
Anschluss 260-Pin
Spannung 1,2 Volt
Standard DDR4-2666 (PC4-21300)
Physikalischer Takt 1333 MHz
Timings CAS Latency (CL) 16
RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18
RAS-Precharge-Time (tRP) 18
Hinweis Dual Rank
Feature XMP
Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability".
Abmessungen Breite: 69,6 mm x Höhe: 30 mm
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